时间分辨光致发光-TRPL 是一种非常强力的手段用于描述和研究半导体材料。它是非破坏性的并且通过一个探头来做激发光。它可以用于原材料也可以用于设备和材料结构。这些特点保证了这种方法可以用于基础研究，测试和质量控制。WaferCheck系统是一个应用TRPL方法做这些测量的完备、易使用的仪器。而它特别经济的价格使它可以胜任一些以前只有在一些具有高昂价值设备的实验室里才能做的实验和测量。
目前，半导体材料工业领域中TRPL的应用主要集中在测量和鉴定电子空穴重组速率。光子激发转移保持在导带（或价带）的时间长度是一个重要的参量，直接和材料的质量和设备的性能有关。荧光寿命衰减数据是一个指示器用来描述半导体的性能比如光电设备（太阳能电池）或光电探测器。尽管有许多潜在的方法可用，但迄今位置最主要的应用手段是作为作为装配或质量控制的组成部分。主要的原因是TCSPC系统适合大多数材料的研究。亚纳秒分辨率和高能脉冲的系统，在过去因为及格太昂贵而被抑制。
TRPL应用于III-V族半导体材料的质量控制已经被许多不同用途的实验而证明。在安装了WaferCheck系统后显示对绝大多数依据常规、正常生产的半导体材料的生产和质量有极大的提高。
TRPL方法也引起了研究氮化物的科学家们的兴趣，这些最新的氮化物用于光电方面。PicoQuant的紫外到蓝色半导体脉冲激光头和相应激光方法能更好的研究，使用这些材料。Pophristic et. al.已经报道了使用TRPL方法的效果绝佳的蓝光InGaN LEDs例子。
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